Kuvars küvet hücreleri, spektrofotometrik analizde doğru ve güvenilir optik ölçümler sağlayan hayati bileşenlerdir. 2 mm yol uzunluğuna sahip ve birinci sınıf Japon kuvars camından yapılmış kapaklı ATCERA kuvars küvet hücreleri, spektrofotometre laboratuvarlarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Bu küvetler olağanüstü optik netlik ve dayanıklılık sunarak onları hassas spektrofotometrik ölçümler için ideal kılar.

Alüminyum nitrür seramik substrat, hammadde olarak alüminyum nitrür tozundan yapılır ve şekillendirildikten sonra sinterlenir. Mükemmel ısı iletkenliğine, düşük dielektrik sabitine ve dielektrik kaybına, güvenilir elektriksel yalıtım özelliklerine, mükemmel mekanik özelliklere ve korozyon direncine sahiptir ve iletişim cihazlarında, yüksek parlaklıktaki LED'de, güç modüllerinde vb. yaygın olarak kullanılır.

Alüminyum nitrür HTCC substratı, tungsten, molibden, manganez ve diğer metal bulamaç kullanılarak ham seramik levhanın doğru kalınlığı ve iyi yoğunlaştırılmasıyla hammadde olarak alüminyum nitrürden yapılmıştır ve tasarlanan devre şeması, ham seramik levha üzerinde delme, mikro yoluyla oluşturulur. - delik enjeksiyonu, baskı ve diğer işlemler ve daha sonra birlikte lamine edildi ve 1500â~1850â'de sinterlendi. Son olarak elektrokaplama, sert lehimleme ve diğer işlemler yoluyla üç boyutlu kablolama sisteminin monolitik bir yapısı oluşturulur. Alüminyum nitrür HTCC substratı yüksek mekanik dayanıma, iyi ısı dağıtma performansına, yüksek sıcaklık ve korozyon direncine, yüksek kablolama yoğunluğuna sahiptir; yüksek sıcaklık ortamında çalışması gereken, yüksek termal kararlılık gereksinimleri ve büyük güç ile elektronik bileşenler için uygundur. 1>

Alüminyum nitrür HTCC substratı, tungsten, molibden, manganez ve diğer metal bulamaç kullanılarak ham seramik levhanın doğru kalınlığı ve iyi yoğunlaştırılmasıyla hammadde olarak alüminyum nitrürden yapılmıştır ve tasarlanan devre şeması, ham seramik levha üzerinde delme, mikro yoluyla oluşturulur. - delik enjeksiyonu, baskı ve diğer işlemler ve daha sonra birlikte lamine edildi ve 1500â~1850â'de sinterlendi. Son olarak elektrokaplama, sert lehimleme ve diğer işlemler yoluyla üç boyutlu kablolama sisteminin monolitik bir yapısı oluşturulur. Alüminyum nitrür HTCC substratı yüksek mekanik dayanıma, iyi ısı dağıtma performansına, yüksek sıcaklık ve korozyon direncine, yüksek kablolama yoğunluğuna sahiptir; yüksek sıcaklık ortamında çalışması gereken, yüksek termal kararlılık gereksinimleri ve büyük güç ile elektronik bileşenler için uygundur. 1>

Alüminyum nitrür HTCC substratı, tungsten, molibden, manganez ve diğer metal bulamaç kullanılarak ham seramik levhanın doğru kalınlığı ve iyi yoğunlaştırılmasıyla hammadde olarak alüminyum nitrürden yapılmıştır ve tasarlanan devre şeması, ham seramik levha üzerinde delme, mikro yoluyla oluşturulur. - delik enjeksiyonu, baskı ve diğer işlemler ve daha sonra birlikte lamine edildi ve 1500â~1850â'de sinterlendi. Son olarak elektrokaplama, sert lehimleme ve diğer işlemler yoluyla üç boyutlu kablolama sisteminin monolitik bir yapısı oluşturulur. Alüminyum nitrür HTCC substratı yüksek mekanik dayanıma, iyi ısı dağıtma performansına, yüksek sıcaklık ve korozyon direncine, yüksek kablolama yoğunluğuna sahiptir; yüksek sıcaklık ortamında çalışması gereken, yüksek termal kararlılık gereksinimleri ve büyük güç ile elektronik bileşenler için uygundur. 1>

Alüminyum nitrür HTCC substratı, tungsten, molibden, manganez ve diğer metal bulamaç kullanılarak ham seramik levhanın doğru kalınlığı ve iyi yoğunlaştırılmasıyla hammadde olarak alüminyum nitrürden yapılmıştır ve tasarlanan devre şeması, ham seramik levha üzerinde delme, mikro yoluyla oluşturulur. - delik enjeksiyonu, baskı ve diğer işlemler ve daha sonra birlikte lamine edildi ve 1500â~1850â'de sinterlendi. Son olarak elektrokaplama, sert lehimleme ve diğer işlemler yoluyla üç boyutlu kablolama sisteminin monolitik bir yapısı oluşturulur. Alüminyum nitrür HTCC substratı yüksek mekanik dayanıma, iyi ısı dağıtma performansına, yüksek sıcaklık ve korozyon direncine, yüksek kablolama yoğunluğuna sahiptir; yüksek sıcaklık ortamında çalışması gereken, yüksek termal kararlılık gereksinimleri ve büyük güç ile elektronik bileşenler için uygundur. 1>

Alüminyum nitrür HTCC substratı, tungsten, molibden, manganez ve diğer metal bulamaç kullanılarak ham seramik levhanın doğru kalınlığı ve iyi yoğunlaştırılmasıyla hammadde olarak alüminyum nitrürden yapılmıştır ve tasarlanan devre şeması, ham seramik levha üzerinde delme, mikro yoluyla oluşturulur. - delik enjeksiyonu, baskı ve diğer işlemler ve daha sonra birlikte lamine edildi ve 1500â~1850â'de sinterlendi. Son olarak elektrokaplama, sert lehimleme ve diğer işlemler yoluyla üç boyutlu kablolama sisteminin monolitik bir yapısı oluşturulur. Alüminyum nitrür HTCC substratı yüksek mekanik dayanıma, iyi ısı dağıtma performansına, yüksek sıcaklık ve korozyon direncine, yüksek kablolama yoğunluğuna sahiptir; yüksek sıcaklık ortamında çalışması gereken, yüksek termal kararlılık gereksinimleri ve büyük güç ile elektronik bileşenler için uygundur. 1>

Alüminyum nitrür HTCC substratı, tungsten, molibden, manganez ve diğer metal bulamaç kullanılarak ham seramik levhanın doğru kalınlığı ve iyi yoğunlaştırılmasıyla hammadde olarak alüminyum nitrürden yapılmıştır ve tasarlanan devre şeması, ham seramik levha üzerinde delme, mikro yoluyla oluşturulur. - delik enjeksiyonu, baskı ve diğer işlemler ve daha sonra birlikte lamine edildi ve 1500â~1850â'de sinterlendi. Son olarak elektrokaplama, sert lehimleme ve diğer işlemler yoluyla üç boyutlu kablolama sisteminin monolitik bir yapısı oluşturulur. Alüminyum nitrür HTCC substratı yüksek mekanik dayanıma, iyi ısı dağıtma performansına, yüksek sıcaklık ve korozyon direncine, yüksek kablolama yoğunluğuna sahiptir; yüksek sıcaklık ortamında çalışması gereken, yüksek termal kararlılık gereksinimleri ve büyük güç ile elektronik bileşenler için uygundur. 1>