SiC (silisyum karbür) alt tabakanın üretim sürecinde SiC külçesinin kesilmesi çok önemli bir adımdır. Yalnızca alt tabakanın yüzey kalitesini ve boyutsal doğruluğunu doğrudan belirlemekle kalmaz, aynı zamanda maliyet kontrolü üzerinde de belirleyici bir etkiye sahiptir. Yüzey pürüzlülüğü (Ra), toplam kalınlık sapması (TTV), eğrilme (BOW) ve bükülme (WARP) gibi kesme işlemi tarafından belirlenen temel parametreler, alt tabakanın nihai kalitesi, verimi ve üretim maliyeti üzerinde derin bir etkiye sahiptir. . Ayrıca kesim kalitesi daha sonraki taşlama ve cilalama işlemlerinin verimliliği ve maliyetiyle de doğrudan ilişkilidir. Bu nedenle, SiC külçe kesme teknolojisinin geliştirilmesi ve ilerlemesi, tüm silikon karbür alt tabaka imalat endüstrisinin düzeyini iyileştirmek için büyük önem taşımaktadır.
Elmas testere bıçağı, daire testere bıçağı, eleme, büyük Ra farkı, büyük eğrilik, geniş yarık, yavaş hız, düşük hassasiyet, yüksek gürültü
Elektrik kıvılcımı: tel + akım, elimine edilmiş, geniş yarık, geniş yüzey yanık tabakası kalınlığı
Harç hattı: bakır kaplı paslanmaz çelik tel + harç, ince levha, yüksek verim, düşük kayıp, yavaş hız ve düşük hassasiyet, kirlilik, tel testerenin düşük ömrü
Elmas tel: birleştirilmiş aşındırıcı + elmas tel, yüksek verimlilik, dar yarık, çevre koruma, derin hasar katmanı, hızlı hat aşınması, alt tabaka bükülmesi
Öncelikle SiC külçe kesme teknolojisinin mevcut durumu
Bilim ve teknolojinin ilerlemesiyle birlikte SiC külçe kesme teknolojisi dikkate değer bir ilerleme kaydetti. Şu anda ana akım kesme teknolojisi esas olarak harç tel kesme, elmas tel kesme ve lazer sıyırma teknolojisini içermektedir. Bu teknolojiler kesme verimliliği, yüzey kalitesi, maliyet vb. açılardan farklılık göstererek SiC alt tabaka üretimi için çeşitli seçenekler sunar.
İkincisi, ana kesme teknolojisi özellikleri analizi
1. Harçlı tel kesme: Geleneksel bir kesme teknolojisi olarak, harçlı tel kesme, SiC külçesini aşındırıcı ve harç içeren hat boyunca keser. Bu yöntemin düşük maliyetli ve seri üretimde uygulanması kolay olmasına rağmen kesilmesi yavaştır ve alt tabaka yüzeyinde derin, hasarlı bir tabaka bırakarak daha sonraki işleme verimliliğini ve alt tabaka kalitesini etkileyebilir.
2. Elmas tel kesme: Elmas tel kesme teknolojisi, SiC külçesini yüksek hızlı dönen hatlardan kesmek için aşındırıcı olarak elmas parçacıklarını kullanır. Bu yöntem yalnızca yüksek kesme hızına sahip olmakla kalmaz, aynı zamanda alt tabakanın kalitesini ve verimini artırmaya yardımcı olan sığ yüzey hasar katmanına da sahiptir. Bu nedenle elmas tel kesme teknolojisi, SiC alt tabaka üretimi alanında giderek yaygın olarak kullanılmaktadır.
3. Lazer sıyırma teknolojisi: Lazer sıyırma teknolojisi, SiC külçesini ayırmak için lazer ışınının termal etkisini kullanan yeni ortaya çıkan bir kesme yöntemidir. Bu teknoloji çok hassas kesimler sağlayarak alt tabaka hasarını önemli ölçüde azaltır ve böylece alt tabakanın kalitesini artırır. Ancak şu anda nispeten yüksek maliyet nedeniyle, lazer sıyırma teknolojisi çoğunlukla ileri teknoloji alanlarda kullanılmaktadır.
Üçüncüsü, kesme teknolojisinin alt tabaka kalitesi ve sonraki süreçler üzerindeki etkisi
Kesme teknolojisinin seçimi yalnızca SiC alt katmanının doğrudan kalitesini etkilemez, aynı zamanda sonraki işlemler üzerinde de önemli bir etkiye sahiptir. Yüksek kaliteli kesme teknolojisi, alt tabaka yüzeyindeki hasarı azaltabilir, taşlama ve cilalamanın zorluğunu ve maliyetini azaltabilir, böylece tüm üretim sürecinin verimliliğini ve etkinliğini artırabilir. Bu nedenle SiC alt katmanın üretim sürecinde doğru kesme teknolojisinin seçilmesi çok önemlidir.
Özetle, SiC külçe kesme teknolojisinin geliştirilmesi ve ilerlemesi, SiC alt katmanının kalitesini, verimliliğini ve maliyet kontrolünü geliştirmek için büyük önem taşıyor. Bilim ve teknolojinin sürekli ilerlemesi ve pazar rekabetinin yoğunlaşması ile gelecekteki SiC külçe kesme teknolojisi daha verimli, daha doğru ve daha ekonomik yönde gelişecektir. Aynı zamanda, yeni enerji, yarı iletken ve diğer alanların hızla gelişmesiyle birlikte, SiC alt katmanına yönelik pazar talebi büyümeye devam edecek ve SiC külçe kesme teknolojisinin geliştirilmesi için geniş bir alan ve fırsatlar sağlayacak.
